casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1265AB-70IND+
codice articolo del costruttore | DS1265AB-70IND+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1265AB-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1265AB-70IND+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 36-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1265AB-70IND+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1265AB-70IND+-FT |
AT93C86A-10SI-1.8
Microchip Technology
AT93C86A-10SI-2.7
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A40MX04-VQ80I
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XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
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LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
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EPF10K30AQC240-3
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