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codice articolo del costruttore | DS1254YB-100 |
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Numero di parte futuro | FT-DS1254YB-100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1254YB-100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Phantom Time Chip |
Caratteristiche | Leap Year, NVSRAM |
Dimensione della memoria | 2MB |
Formato orario | HH:MM:SS:hh (12/24 hr) |
Formato data | YY-MM-DD-dd |
Interfaccia | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
Tensione - Alimentazione, batteria | 3V |
Corrente - Cronometraggio (max) | 7mA @ 3.3V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 168-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 168-BGA (40x40) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1254YB-100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1254YB-100-FT |
DS1644-120
Maxim Integrated
DS1743-100+
Maxim Integrated
DS1743-100IND+
Maxim Integrated
DS1743-70
Maxim Integrated
DS1743-85+
Maxim Integrated
DS1743-85IND+
Maxim Integrated
DS1743W-120+
Maxim Integrated
DS1743W-120IND+
Maxim Integrated
CBC34123-M5C
Renesas Electronics America Inc.
KR3225Y32768EAW30TAA
Kyocera International Inc. Electronic Components
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100M
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX330T-1FF1738I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I4LN
Intel
EP20K400CB652C7
Intel
EP2S90F1020I4N
Intel