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codice articolo del costruttore | DS1251Y-70+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1251Y-70+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1251Y-70+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Phantom Time Chip |
Caratteristiche | Leap Year, NVSRAM |
Dimensione della memoria | 512KB |
Formato orario | HH:MM:SS:hh (12/24 hr) |
Formato data | YY-MM-DD-dd |
Interfaccia | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
Tensione - Alimentazione, batteria | - |
Corrente - Cronometraggio (max) | 10mA @ 5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1251Y-70+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1251Y-70+-FT |
1338C-18SRI
IDT, Integrated Device Technology Inc
1338C-18SRI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
1338C-31SRI
IDT, Integrated Device Technology Inc
1338C-31SRI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
RX-8581JE:B0
EPSON
RX-8581JE:B3 I2C-BUS
EPSON
RX-8571SA:B3 PURE SN
EPSON
RX-4574LC:B PURE SN
EPSON
RX-8025SA:AA3
EPSON
RX-5412SF:B3 PURE SN
EPSON
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG144M
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
5SGXEB5R3F43I4N
Intel
XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel