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codice articolo del costruttore | DS1251WP-C02+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1251WP-C02+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1251WP-C02+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Phantom Time Chip |
Caratteristiche | Leap Year, NVSRAM |
Dimensione della memoria | 512KB |
Formato orario | HH:MM:SS:hh (12/24 hr) |
Formato data | YY-MM-DD-dd |
Interfaccia | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.97V ~ 3.63V |
Tensione - Alimentazione, batteria | 3V |
Corrente - Cronometraggio (max) | 7mA @ 3.3V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1251WP-C02+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1251WP-C02+-FT |
DS1553W-120+
Maxim Integrated
DS1643-100
Maxim Integrated
DS1643-70
Maxim Integrated
DS1643-85+
Maxim Integrated
DS1644-120
Maxim Integrated
DS1743-100+
Maxim Integrated
DS1743-100IND+
Maxim Integrated
DS1743-70
Maxim Integrated
DS1743-85+
Maxim Integrated
DS1743-85IND+
Maxim Integrated
A3P015-QNG68
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZUCG81
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C6N
Intel
5SGXEA5N2F40C2L
Intel
5SGXEA7K3F40C4N
Intel
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
LCMXO3L-6900C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-2MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation