casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1230ABP-70IND+
codice articolo del costruttore | DS1230ABP-70IND+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1230ABP-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230ABP-70IND+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 34-PowerCap™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | 34-PowerCap Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230ABP-70IND+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1230ABP-70IND+-FT |
LH28F008SAT-ZW
Sharp Microelectronics
LH28F008SCHT-TE
Sharp Microelectronics
LH28F008SCT-L85
Sharp Microelectronics
LH28F016SCT-L95
Sharp Microelectronics
M29F080D70N1
STMicroelectronics
M29F080D90N1
STMicroelectronics
M50FW016N5TG TR
Micron Technology Inc.
SST49LF016C-33-4C-EIE
Microchip Technology
SST49LF016C-33-4C-EIE-T
Microchip Technology
AT21CS01-MSHMHU-T
Microchip Technology
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel