casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1230ABP-100+
codice articolo del costruttore | DS1230ABP-100+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1230ABP-100+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230ABP-100+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 34-PowerCap™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | 34-PowerCap Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230ABP-100+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1230ABP-100+-FT |
MT29F32G08FAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08MADWC:D TR
Micron Technology Inc.
AT49F008AT-12TC
Microchip Technology
SST49LF008A-33-4C-EIE-T
Microchip Technology
SST49LF008A-33-4C-EIE
Microchip Technology
AT45CS1282-TC
Microchip Technology
AT45CS1282-TI
Microchip Technology
AT45DB1282-TC
Microchip Technology
AT45DB1282-TI
Microchip Technology
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel