casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Lineari, Bussola (CI) / DRV5057A3QDBZT
codice articolo del costruttore | DRV5057A3QDBZT |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5057A3QDBZT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5057A3QDBZT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tecnologia | Hall Effect |
Asse | Single |
Tipo di uscita | PWM |
Gamma di rilevamento | ±84mT |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V |
Corrente - Alimentazione (max) | 10mA |
Corrente - Uscita (max) | 20mA |
Risoluzione | - |
Larghezza di banda | 2kHz |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5057A3QDBZT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5057A3QDBZT-FT |
AH49FZ3-G1
Diodes Incorporated
HQ8220
AKM Semiconductor Inc.
AA004-00E
NVE Corp/Sensor Products
AAH004-00E
NVE Corp/Sensor Products
AA006-00E
NVE Corp/Sensor Products
AA004-00
NVE Corp/Sensor Products
AA006-00
NVE Corp/Sensor Products
AAH004-00
NVE Corp/Sensor Products
A1363LLUTR-5-T
Allegro MicroSystems, LLC
A1454KLETR-2N-T
Allegro MicroSystems, LLC
EPF10K30ETC144-3
Intel
EP20K60ETC144-2X
Intel
M1A3P600-2FG256I
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP2AGX95DF25C5
Intel
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E1F27E1SG
Intel