casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5033AJQLPGM
codice articolo del costruttore | DRV5033AJQLPGM |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5033AJQLPGM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5033AJQLPGM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Omnipolar Switch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | Either |
Gamma di rilevamento | ±12mT Trip, ±1mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5033AJQLPGM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5033AJQLPGM-FT |
MRMS511M
Murata Electronics North America
MRMS511M-001
Murata Electronics North America
MRMS541D
Murata Electronics North America
MRMS541D-001
Murata Electronics North America
MRMS571A
Murata Electronics North America
MRUS52F
Murata Electronics North America
MRUS52F-001
Murata Electronics North America
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4SE530H40C4ES
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel