casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5032FBDBZT
codice articolo del costruttore | DRV5032FBDBZT |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5032FBDBZT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5032FBDBZT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Omnipolar Switch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | Either |
Gamma di rilevamento | ±3mT Trip, ±1.5mT Release |
Condizione di test | 25°C |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 5.5V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.6mA |
Corrente - Uscita (max) | 5mA |
Tipo di uscita | Push-Pull |
Caratteristiche | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5032FBDBZT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5032FBDBZT-FT |
AD021-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD022-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD023-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD024-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD104-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD105-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD106-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD120-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD121-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD122-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC2S15-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676CES9937
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
5SGXMBBR1H43I2N
Intel
EP3C16M164C8N
Intel
AGL250V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35I3
Intel