casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5032DUDBZT
codice articolo del costruttore | DRV5032DUDBZT |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5032DUDBZT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5032DUDBZT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Unipolar Switch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | Either |
Gamma di rilevamento | ±1.2mT Trip, ±3.5mT Release |
Condizione di test | 25°C |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 5.5V |
Corrente - Alimentazione (max) | 3.5µA |
Corrente - Uscita (max) | 5mA |
Tipo di uscita | Push-Pull |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5032DUDBZT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5032DUDBZT-FT |
AD305-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD306-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD320-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD321-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD322-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD323-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD324-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD405-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD406-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4SE530H40C4ES
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel