casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5032AJDBZR
codice articolo del costruttore | DRV5032AJDBZR |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5032AJDBZR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5032AJDBZR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Omnipolar Switch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | Either |
Gamma di rilevamento | ±3mT Trip, ±1.5mT Release |
Condizione di test | 25°C |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 5.5V |
Corrente - Alimentazione (max) | 3.5µA |
Corrente - Uscita (max) | 5mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5032AJDBZR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5032AJDBZR-FT |
AD504-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD505-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD506-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD520-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD521-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD522-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD523-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD524-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD604-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD605-02E
NVE Corp/Sensor Products
AX250-1FGG484M
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
EP4CE115F23I7N
Intel
EP3C16F256C8N
Intel
5SGSED8K2F40C2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676I
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