casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5015A3QDBZT
codice articolo del costruttore | DRV5015A3QDBZT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DRV5015A3QDBZT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5015A3QDBZT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | North Pole, South Pole |
Gamma di rilevamento | 3.7mT Trip, -3.7mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.8mA |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Digital |
Caratteristiche | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5015A3QDBZT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5015A3QDBZT-FT |
AD224-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD304-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD305-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD306-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD320-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD321-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD322-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD323-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD324-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC4010E-1BG225C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325I
Microsemi Corporation
AGL030V2-UCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45I3L
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
LCMXO1200E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP20K400CB652C7
Intel