casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5015A3QDBZR
codice articolo del costruttore | DRV5015A3QDBZR |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5015A3QDBZR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5015A3QDBZR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | North Pole, South Pole |
Gamma di rilevamento | 3.7mT Trip, -3.7mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.8mA |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Digital |
Caratteristiche | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5015A3QDBZR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5015A3QDBZR-FT |
AD420-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD421-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD422-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD423-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD424-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD504-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD505-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD506-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD520-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD521-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
5SGSED6N2F45I2N
Intel
EP2SGX90EF1152C5
Intel
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation