casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013BCQLPGM
codice articolo del costruttore | DRV5013BCQLPGM |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013BCQLPGM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5013BCQLPGM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 18mT Trip, -18mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCQLPGM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013BCQLPGM-FT |
MRMS511H
Murata Electronics North America
MRMS511H-001
Murata Electronics North America
MRMS511L
Murata Electronics North America
MRMS511L-001
Murata Electronics North America
MRMS511M
Murata Electronics North America
MRMS511M-001
Murata Electronics North America
MRMS541D
Murata Electronics North America
MRMS541D-001
Murata Electronics North America
MRMS571A
Murata Electronics North America
MRUS52F
Murata Electronics North America
XC4010E-1BG225C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325I
Microsemi Corporation
AGL030V2-UCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45I3L
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
LCMXO1200E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP20K400CB652C7
Intel