casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013BCQLPGMQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013BCQLPGMQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013BCQLPGMQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013BCQLPGMQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 18mT Trip, -18mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCQLPGMQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013BCQLPGMQ1-FT |
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS40DLR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS40DPR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S15-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676CES9937
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
5SGXMBBR1H43I2N
Intel
EP3C16M164C8N
Intel
AGL250V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35I3
Intel