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codice articolo del costruttore | DRV5013BCELPGMQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013BCELPGMQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013BCELPGMQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 18mT Trip, -18mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 150°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCELPGMQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013BCELPGMQ1-FT |
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS40DLR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40C2LN
Intel
EP3SL200F1517C3
Intel
EP20K30EFC144-1X
Intel
EP2AGX95DF25I5
Intel
A54SX32A-TQ100A
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C9ES
Intel
EP4SGX290FF35I3N
Intel