casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013BCELPGMQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013BCELPGMQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013BCELPGMQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013BCELPGMQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 18mT Trip, -18mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 150°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCELPGMQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013BCELPGMQ1-FT |
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS40DLR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S200A-5VQG100C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81I
Microsemi Corporation
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
5SGSMD5K1F40C1
Intel
5SGXEA3K3F40C2N
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F40I1SG
Intel
10AX016E4F29E3SG
Intel
5SGXEA3H2F35I2L
Intel