casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013BCELPGMQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013BCELPGMQ1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DRV5013BCELPGMQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013BCELPGMQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 18mT Trip, -18mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 150°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCELPGMQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013BCELPGMQ1-FT |
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS40DLR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ256M
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAF256A7G
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
EP4SGX290KF43I3
Intel
XC5VLX85T-2FF1136I
Xilinx Inc.
EP4CGX110DF31C7
Intel