casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013AGQDBZRQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013AGQDBZRQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013AGQDBZRQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013AGQDBZRQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 9mT Trip, -9mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013AGQDBZRQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013AGQDBZRQ1-FT |
AD324-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD405-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD406-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD420-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD421-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD422-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD423-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD424-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD504-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FGG456I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQ208
Microsemi Corporation
AT40K40-2EQC
Microchip Technology
EP4CGX75CF23C7
Intel
5SGXMABK2H40I2N
Intel
XC7K410T-3FBG900E
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C3N
Intel