casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013AGELPGMQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013AGELPGMQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013AGELPGMQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013AGELPGMQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 9mT Trip, -9mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 150°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013AGELPGMQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013AGELPGMQ1-FT |
MRMS541D
Murata Electronics North America
MRMS541D-001
Murata Electronics North America
MRMS571A
Murata Electronics North America
MRUS52F
Murata Electronics North America
MRUS52F-001
Murata Electronics North America
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XA6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VFG256I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3P030-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEB5R2F43I2N
Intel
XC4010E-2PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFXP2-40E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C6Q240C8
Intel