casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013AGELPGMQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013AGELPGMQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013AGELPGMQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013AGELPGMQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 9mT Trip, -9mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 150°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013AGELPGMQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013AGELPGMQ1-FT |
MRMS541D
Murata Electronics North America
MRMS541D-001
Murata Electronics North America
MRMS571A
Murata Electronics North America
MRUS52F
Murata Electronics North America
MRUS52F-001
Murata Electronics North America
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SGX180KF40C3
Intel
EP4SGX180KF40C3N
Intel
5SGXEA7K1F35C2LN
Intel
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation