casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013AGEDBZRQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013AGEDBZRQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013AGEDBZRQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013AGEDBZRQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 9mT Trip, -9mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 150°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013AGEDBZRQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013AGEDBZRQ1-FT |
AD323-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD324-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD405-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD406-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD420-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD421-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD422-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD423-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD424-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC2V6000-4FFG1517C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I2LN
Intel
10M40SCE144C7G
Intel
5SGXEA5K1F35C1N
Intel
LCMXO256C-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40E2LG
Intel
EP20K100CQ240C9
Intel