casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013ADQLPGM
codice articolo del costruttore | DRV5013ADQLPGM |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013ADQLPGM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRV5013ADQLPGM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 5mT Trip, -5mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013ADQLPGM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013ADQLPGM-FT |
MRUS52F
Murata Electronics North America
MRUS52F-001
Murata Electronics North America
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11DLU(TE85L,F)
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TCS11NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1225A-PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005-1VFG400
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4N
Intel
10M50DAF256I6G
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F40E1SG
Intel