casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013ADQLPGMQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013ADQLPGMQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013ADQLPGMQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013ADQLPGMQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 5mT Trip, -5mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013ADQLPGMQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013ADQLPGMQ1-FT |
MRUS52F-001
Murata Electronics North America
TCS10DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10DPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10NPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS10SPU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11DLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11NLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TCS11SLU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP20K160ETC144-3
Intel
XC6SLX100-3CSG484I
Xilinx Inc.
MPF300T-FCVG484I
Microsemi Corporation
AT6005-2AI
Microchip Technology
EP4SGX180KF40C4
Intel
5SGTMC5K3F40C1N
Intel
EP4SE530H40C4
Intel
XC5VSX240T-1FF1738CES
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation