casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013ADQDBZTQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013ADQDBZTQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013ADQDBZTQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013ADQDBZTQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 5mT Trip, -5mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013ADQDBZTQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013ADQDBZTQ1-FT |
AD605-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD606-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD620-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD621-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD622-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD623-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD624-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD704-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD705-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD706-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC2S15-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676CES9937
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
5SGXMBBR1H43I2N
Intel
EP3C16M164C8N
Intel
AGL250V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35I3
Intel