casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013ADQDBZRQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013ADQDBZRQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013ADQDBZRQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013ADQDBZRQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 5mT Trip, -5mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013ADQDBZRQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013ADQDBZRQ1-FT |
AD521-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD522-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD523-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD524-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD604-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD605-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD606-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD620-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD621-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD622-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC4VFX100-10FFG1517I
Xilinx Inc.
M2GL050T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-5UWG36CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
ICE65L01F-TQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F672C4
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXMABK3H40I3N
Intel
LFXP20C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation