casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori magnetici - Interruttori (a stato solido) / DRV5013ADQDBZRQ1
codice articolo del costruttore | DRV5013ADQDBZRQ1 |
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Numero di parte futuro | FT-DRV5013ADQDBZRQ1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013ADQDBZRQ1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 5mT Trip, -5mT Release |
Condizione di test | -40°C ~ 125°C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 38V |
Corrente - Alimentazione (max) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Uscita (max) | 30mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | Temperature Compensated |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013ADQDBZRQ1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRV5013ADQDBZRQ1-FT |
AD521-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD522-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD523-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD524-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD604-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD605-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD606-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD620-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD621-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD622-02E
NVE Corp/Sensor Products
A1225A-1PQG100C
Microsemi Corporation
A3P1000-FG484
Microsemi Corporation
EP4CE22F17I8L
Intel
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EP4SGX70DF29C3
Intel
EP20K200RC240-3
Intel