casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRC3123J0L
codice articolo del costruttore | DRC3123J0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRC3123J0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRC3123J0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F2-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC3123J0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRC3123J0L-FT |
PDTC144VK,115
NXP USA Inc.
PDTC144WK,115
NXP USA Inc.
PDTC323TK,115
NXP USA Inc.
PDTD113EK,115
NXP USA Inc.
PDTD113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTD123EK,115
NXP USA Inc.
PDTD123TK,115
NXP USA Inc.
PDTD123YK,115
NXP USA Inc.
UNR211100L
Panasonic Electronic Components
UNR211200L
Panasonic Electronic Components
XC3SD1800A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL090S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672C6
Intel
5SGSED6N2F45C2LN
Intel
XC7VX415T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel