casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRC3123E0L
codice articolo del costruttore | DRC3123E0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRC3123E0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRC3123E0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F2-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC3123E0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRC3123E0L-FT |
PDTC144TK,115
NXP USA Inc.
PDTC144VK,115
NXP USA Inc.
PDTC144WK,115
NXP USA Inc.
PDTC323TK,115
NXP USA Inc.
PDTD113EK,115
NXP USA Inc.
PDTD113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTD123EK,115
NXP USA Inc.
PDTD123TK,115
NXP USA Inc.
PDTD123YK,115
NXP USA Inc.
UNR211100L
Panasonic Electronic Components
A1225A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-5CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG676C
Xilinx Inc.
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-2
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel
EP1C20F324C7N
Intel