casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA9A24E0L
codice articolo del costruttore | DRA9A24E0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA9A24E0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA9A24E0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA9A24E0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA9A24E0L-FT |
DTA123YKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124EKAT146
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DTA124XKAT146
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DTA143ZKAT146
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DTB114GKT146
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DTB143EKT146
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DTC123TKAT146
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DTC143TKAT146
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XC3S200A-4FT256I
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XC4010E-4PQ208C
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A54SX08A-1PQG208
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LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
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EP4S100G3F45I3
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5SGXEB6R2F43C2N
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XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
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5SGXEA3H3F35I4N
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