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codice articolo del costruttore | DRA74-470-R |
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Numero di parte futuro | FT-DRA74-470-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA74-470-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.14A |
Corrente - Saturazione | 1.37A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 219 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 165°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.171" (4.35mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA74-470-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA74-470-R-FT |
LD2-101-R
Eaton - Electronics Division
HCP0704-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HCM1305-2R2-R
Eaton - Electronics Division
HCF1305-4R7-R
Eaton - Electronics Division
HCF1305-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HCF1305-3R3-R
Eaton - Electronics Division
HCF1007-100-R
Eaton - Electronics Division
HCF1007-1R5-R
Eaton - Electronics Division
HCF1007-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HCF1007-2R2-R
Eaton - Electronics Division
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation