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codice articolo del costruttore | DRA127-2R2-R |
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Numero di parte futuro | FT-DRA127-2R2-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA127-2R2-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 12.52A |
Corrente - Saturazione | 25.5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 4 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 165°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-2R2-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA127-2R2-R-FT |
HC1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HC1-100-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-230-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-200-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-150-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-170-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-190-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-270-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-300-R
Eaton - Electronics Division
FP4-200-R
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel