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codice articolo del costruttore | DRA124-1R5-R |
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Numero di parte futuro | FT-DRA124-1R5-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA124-1R5-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 9.36A |
Corrente - Saturazione | 17.11A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 4.9 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 165°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.177" (4.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA124-1R5-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA124-1R5-R-FT |
DRA74-471-R
Eaton - Electronics Division
DRA74-681-R
Eaton - Electronics Division
DRA74-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DRA74-150-R
Eaton - Electronics Division
DRA74-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DRA74-220-R
Eaton - Electronics Division
DRA74-330-R
Eaton - Electronics Division
DRA74-4R7-R
Eaton - Electronics Division
DRA74-680-R
Eaton - Electronics Division
DRA74-102-R
Eaton - Electronics Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel