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codice articolo del costruttore | DR1050-180-R |
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Numero di parte futuro | FT-DR1050-180-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DR1050 |
DR1050-180-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 18µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 3.39A |
Corrente - Saturazione | 3.3A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 41 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" (5.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1050-180-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DR1050-180-R-FT |
9405R-14
API Delevan Inc.
9405R-16
API Delevan Inc.
9405R-18
API Delevan Inc.
9405R-20
API Delevan Inc.
9405R-22
API Delevan Inc.
9405R-24
API Delevan Inc.
9405R-26
API Delevan Inc.
9405R-28
API Delevan Inc.
9405R-30
API Delevan Inc.
9405R-32
API Delevan Inc.
EP1K50FC484-1N
Intel
XC4028XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3AJI
Microchip Technology
10AX066K2F35I2SGES
Intel
10AX090H1F34I1SG
Intel
5AGXBB1D4F35I5N
Intel
EPF10K10QC208-4
Intel