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codice articolo del costruttore | DR1040-470-R |
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Numero di parte futuro | FT-DR1040-470-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DR1040 |
DR1040-470-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 1.9A |
Corrente - Saturazione | 2.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 128 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.157" (4.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1040-470-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DR1040-470-R-FT |
DR74-221-R
Eaton - Electronics Division
DR74-102-R
Eaton - Electronics Division
DR74-151-R
Eaton - Electronics Division
DR74-3R3-R
Eaton - Electronics Division
DR74-470-R
Eaton - Electronics Division
DR74-471-R
Eaton - Electronics Division
DR74-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DR74-2R2-R
Eaton - Electronics Division
DR74-331-R
Eaton - Electronics Division
DR74-821-R
Eaton - Electronics Division
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel