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codice articolo del costruttore | DR1040-221-R |
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Numero di parte futuro | FT-DR1040-221-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DR1040 |
DR1040-221-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 220µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 700mA |
Corrente - Saturazione | 920mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 640 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.157" (4.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1040-221-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DR1040-221-R-FT |
DR74-471-R
Eaton - Electronics Division
DR74-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DR74-2R2-R
Eaton - Electronics Division
DR74-331-R
Eaton - Electronics Division
DR74-821-R
Eaton - Electronics Division
DR74-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DR74-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DR74-820-R
Eaton - Electronics Division
DR74-R33-R
Eaton - Electronics Division
DR74-681-R
Eaton - Electronics Division
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation