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codice articolo del costruttore | DR1030-1R1-R |
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Numero di parte futuro | FT-DR1030-1R1-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DR1030 |
DR1030-1R1-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1.1µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 7A |
Corrente - Saturazione | 9.5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 7.9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.118" (3.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1030-1R1-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DR1030-1R1-R-FT |
DR74-101
Eaton - Electronics Division
DR73-220-R
Eaton - Electronics Division
DR73-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DR73-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DR73-100-R
Eaton - Electronics Division
DR127-R47-R
Eaton - Electronics Division
DR127-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DR127-821-R
Eaton - Electronics Division
DR127-820-R
Eaton - Electronics Division
DR127-6R8-R
Eaton - Electronics Division
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel