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codice articolo del costruttore | DR1030-151-R |
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Numero di parte futuro | FT-DR1030-151-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DR1030 |
DR1030-151-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 150µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 680mA |
Corrente - Saturazione | 860mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 700 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.118" (3.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1030-151-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DR1030-151-R-FT |
DR73-220-R
Eaton - Electronics Division
DR73-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DR73-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DR73-100-R
Eaton - Electronics Division
DR127-R47-R
Eaton - Electronics Division
DR127-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DR127-821-R
Eaton - Electronics Division
DR127-820-R
Eaton - Electronics Division
DR127-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DR127-681-R
Eaton - Electronics Division
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel