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codice articolo del costruttore | DR1030-121-R |
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Numero di parte futuro | FT-DR1030-121-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DR1030 |
DR1030-121-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 120µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 800mA |
Corrente - Saturazione | 950mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 602 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.118" (3.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1030-121-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DR1030-121-R-FT |
DR73-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DR73-100-R
Eaton - Electronics Division
DR127-R47-R
Eaton - Electronics Division
DR127-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DR127-821-R
Eaton - Electronics Division
DR127-820-R
Eaton - Electronics Division
DR127-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DR127-681-R
Eaton - Electronics Division
DR127-680-R
Eaton - Electronics Division
DR127-4R7-R
Eaton - Electronics Division
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel