casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DNBT8105-7
codice articolo del costruttore | DNBT8105-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DNBT8105-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DNBT8105-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
Potenza - Max | 600mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DNBT8105-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DNBT8105-7-FT |
STN817A
STMicroelectronics
STN878
STMicroelectronics
STN888
STMicroelectronics
DSS5220V-7
Diodes Incorporated
DSS5240V-7
Diodes Incorporated
DPLS160V-7
Diodes Incorporated
DSS4160V-7
Diodes Incorporated
DSS4220V-7
Diodes Incorporated
DSS5140V-7
Diodes Incorporated
DSS5160V-7
Diodes Incorporated
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.