casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DN2535N3-G-P013
codice articolo del costruttore | DN2535N3-G-P013 |
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Numero di parte futuro | FT-DN2535N3-G-P013 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DN2535N3-G-P013 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 350V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 120mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 (TO-226) |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN2535N3-G-P013 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DN2535N3-G-P013-FT |
2N7000-G
Microchip Technology
ZVN4210A
Diodes Incorporated
ZVN4306AV
Diodes Incorporated
ZVP3310A
Diodes Incorporated
ZVNL120A
Diodes Incorporated
ZVN3320A
Diodes Incorporated
TN0702N3-G
Microchip Technology
VN2106N3-G
Microchip Technology
DN2540N3-G
Microchip Technology
TN0604N3-G
Microchip Technology
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel