casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DN2530N8-G
codice articolo del costruttore | DN2530N8-G |
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Numero di parte futuro | FT-DN2530N8-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DN2530N8-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 150mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-243AA (SOT-89) |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN2530N8-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DN2530N8-G-FT |
PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN039-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN045-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN059-150Y,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-40YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R4-40YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel