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Diodes Incorporated DMT10H010LCT

Name: DMT10H010LCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010LCT
Price: 1.416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (37 reviews)

Numero parte MFG: DMT10H010LCT

quantità disponibile: 12770 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.416

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 100V TO220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMT10H010LCT.pdf

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DMT10H010LCT specificazioni

codice articolo del costruttore	DMT10H010LCT
Numero di parte futuro	FT-DMT10H010LCT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMT10H010LCT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	98A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 139W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H010LCT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMT10H010LCT-FT

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