casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP6110SVT-13
codice articolo del costruttore | DMP6110SVT-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMP6110SVT-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP6110SVT-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 969pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP6110SVT-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP6110SVT-13-FT |
CPH6350-TL-W
ON Semiconductor
DMN3026LVT-7
Diodes Incorporated
CPH6354-TL-W
ON Semiconductor
DMP6110SVT-7
Diodes Incorporated
DMP6110SVTQ-7
Diodes Incorporated
SQ3426EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
IRF5802TRPBF
Infineon Technologies
IRF5803TRPBF
Infineon Technologies
SQ3425EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
DMN2028UVT-13
Diodes Incorporated
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel