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Diodes Incorporated DMP2010UFG-7

Numero parte MFG
DMP2010UFG-7
quantità disponibile
92700 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.30156
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMP2010UFG-7 specificazioni

codice articolo del costruttore DMP2010UFG-7
Numero di parte futuro FT-DMP2010UFG-7
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMP2010UFG-7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103nC @ 10V
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3350pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMP2010UFG-7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMP2010UFG-7-FT

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