casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP2010UFG-7
codice articolo del costruttore | DMP2010UFG-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMP2010UFG-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP2010UFG-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.7A (Ta), 42A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2010UFG-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP2010UFG-7-FT |
DMNH4011SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6008SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6012SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6012SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SPD-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SPDQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SPS-13
Diodes Incorporated
DMP3010LPS-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel