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Diodes Incorporated DMP2010UFG-13

Name: DMP2010UFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2010UFG-13
Price: 0.30156 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (185 reviews)

Numero parte MFG: DMP2010UFG-13

quantità disponibile: 24770 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.30156

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMP2010UFG-13.pdf

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DMP2010UFG-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMP2010UFG-13
Numero di parte futuro	FT-DMP2010UFG-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMP2010UFG-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12.7A (Ta), 42A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	103nC @ 10V
Vgs (massimo)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3350pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	900mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMP2010UFG-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMP2010UFG-13-FT

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