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Diodes Incorporated DMN95H8D5HCT

Numero parte MFG
DMN95H8D5HCT
quantità disponibile
72480 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.168
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Data di spedizione
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore DMN95H8D5HCT
Numero di parte futuro FT-DMN95H8D5HCT
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN95H8D5HCT Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 950V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN95H8D5HCT Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN95H8D5HCT-FT

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