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Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT

Name: DMN90H8D5HCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN90H8D5HCT
Price: 1.104 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (128 reviews)

Numero parte MFG: DMN90H8D5HCT

quantità disponibile: 45900 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.104

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN90H8D5HCT.pdf

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DMN90H8D5HCT specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN90H8D5HCT
Numero di parte futuro	FT-DMN90H8D5HCT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN90H8D5HCT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN90H8D5HCT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN90H8D5HCT-FT

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