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Diodes Incorporated DMN6069SFG-13

Numero parte MFG
DMN6069SFG-13
quantità disponibile
85960 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.21336
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMN6069SFG-13 specificazioni

codice articolo del costruttore DMN6069SFG-13
Numero di parte futuro FT-DMN6069SFG-13
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN6069SFG-13 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta), 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 930mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN6069SFG-13 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN6069SFG-13-FT

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