casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN3065LW-7
codice articolo del costruttore | DMN3065LW-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN3065LW-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3065LW-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 465pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 770mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3065LW-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN3065LW-7-FT |
DI9435T
Diodes Incorporated
DMG4406LSS-13
Diodes Incorporated
DMG8880LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3031LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3052LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3112SSS-13
Diodes Incorporated
DMN4027SSS-13
Diodes Incorporated
DMS2085LSD-13
Diodes Incorporated
DMT69M8LSS-13
Diodes Incorporated
ZXM66N02N8TA
Diodes Incorporated
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel