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Diodes Incorporated DMN3035LWN-13

Name: DMN3035LWN-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3035LWN-13
Price: 0.142888 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (224 reviews)

Numero parte MFG: DMN3035LWN-13

quantità disponibile: 99840 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.142888

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN3035LWN-13.pdf

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DMN3035LWN-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN3035LWN-13
Numero di parte futuro	FT-DMN3035LWN-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN3035LWN-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	399pF @ 15V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	V-DFN3020-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3035LWN-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN3035LWN-13-FT

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