casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN3032LFDB-7
codice articolo del costruttore | DMN3032LFDB-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN3032LFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3032LFDB-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3032LFDB-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN3032LFDB-7-FT |
DI9956T
Diodes Incorporated
DMC3018LSD-13
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