casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN3018SSD-13
codice articolo del costruttore | DMN3018SSD-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN3018SSD-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3018SSD-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 697pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3018SSD-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN3018SSD-13-FT |
SI9936DY
ON Semiconductor
SI9955DY
ON Semiconductor
SSD2007ASTF
ON Semiconductor
SSD2007ATF
ON Semiconductor
SSD2009ATF
ON Semiconductor
SSD2025TF
ON Semiconductor
2N7002VA
ON Semiconductor
2N7002V
ON Semiconductor
DMN3016LDN-7
Diodes Incorporated
DMN3035LWN-7
Diodes Incorporated
LFXP2-8E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG676I
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XC2S30-6VQ100C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208I
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AX125-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C3
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation