casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN2029USD-13
codice articolo del costruttore | DMN2029USD-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2029USD-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2029USD-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1171pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2029USD-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2029USD-13-FT |
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
DMN5L06DMK-7
Diodes Incorporated
DMP2240UDM-7
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5AGXBA1D4F27I5N
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XC6SLX9-N3CSG225I
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LFE3-150EA-6FN672C
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LCMXO3L-1300E-5MG121I
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LCMXO3LF-4300E-5MG121I
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EPF10K50RC240-4
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